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J-GLOBAL ID：200902111261063342   Reference number：01A0382536

A 1.8-V Embedded 18-Mb DRAM Macro with a 9-ns RAS Access Time and Memory-Cell Area Efficiency of 33%.

9ns RASアクセスタイムと33%のメモリセル面積効率を持つ1.8V埋込み18Mb DRAMマクロ

Author (9)： YOKOYAMA Y (Device Development Center, Tokyo, JPN) ,  ITOH N (Device Development Center, Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA M (Device Development Center, Tokyo, JPN) ,  KATAYAMA M (Hitachi ULSI Systems Company, Ltd., Tokyo, JPN) ,  AKASAKI H (Hitachi ULSI Systems Company, Ltd., Tokyo, JPN) ,  KANEDA M (Hitachi ULSI Systems Company, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UEDA T (Hitachi ULSI Systems Company, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TANAKA Y (Device Development Center, Tokyo, JPN) ,  YAMASAKI E (Hitachi ULSI Systems Company, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE J Solid-State Circuits)
Volume： 36  Issue： 3  Page： 503-509  Publication year： Mar. 2001 
JST Material Number： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： アクセスタイム ,...

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JST classification (2)： General  (NC03161C) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (7)： Ras ,  アクセスタイム ,  メモリセル ,  面積効率 ,  埋込み ,  DRAM ,  マクロ