Art

J-GLOBAL ID：200902111482554200   Reference number：98A0290998

Room temperature continuous wave lasing characteristics of GaInAsP/InP microdisk injection laser.

GaInAsP/InPマイクロディスク注入レーザの室温連続発振特性

Author (3)： FUJITA M (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  INOSHITA K (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN) ,  BABA T (Yokohama National Univ., Yokohama, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 34  Issue： 3  Page： 278-279  Publication year： Feb. 05, 1998 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor laser ,...
Semi thesaurus term： RIBE

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： GaInAsP ,  InP ,  マイクロディスク ,  注入レーザ ,  室温 ,  発振特性