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J-GLOBAL ID：200902112224184160   Reference number：95A0032339

Critical layer thickness for self-assembled InAs islands on GaAs.

GaAs上で自己集積したInAs島構造に対する臨界層厚

Author (3)： LEONARD D (Univ. California, California) ,  POND K (Univ. California, California) ,  PETROFF P M (Univ. California, California)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 50  Issue： 16  Page： 11687-11692  Publication year： Oct. 15, 1994 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： GaAs ,  自己集積 ,  InAs ,  島構造 ,  臨界 ,  層厚