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J-GLOBAL ID：200902112578312689   Reference number：97A0705346

Nucleation and growth of GaSe on GaAs by Van der Waal epitaxy.

Van der WaalsエピタクシーによるGaAs上でのGaSeの核形成及び成長

Author (3)： RUMANER L E (Univ. Washington, Washington, USA) ,  GRAY J L (Univ. Washington, Washington, USA) ,  OHUCHI F S (Univ. Washington, Washington, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 177  Issue： 1/2  Page： 17-27  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： VAN ,  エピタクシー ,  GaAs ,  GaSe ,  核形成 ,  成長