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J-GLOBAL ID：200902112611616729   Reference number：02A0401586

Atomic Layer Deposition of Hafnium Oxide Using Anhydrous Hafnium Nitrate.

無水硝酸ハフニウムを用いた酸化ハフニウムの原子層沈着

Author (7)： CONLEY J F JR (Sharp Lab. America, Washington, USA) ,  ONO Y (Sharp Lab. America, Washington, USA) ,  ZHUANG W (Sharp Lab. America, Washington, USA) ,  TWEET D J (Sharp Lab. America, Washington, USA) ,  GAO W (Sharp Lab. America, Washington, USA) ,  MOHAMMED S K (Oregon Graduate Inst., Oregon, USA) ,  SOLANKI R (Oregon Graduate Inst., Oregon, USA)
Material： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochem Solid-State Lett)
Volume： 5  Issue： 5  Page： C57-C59  Publication year： May. 2002 
JST Material Number： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *hafnium oxide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Bases,metal oxides  (CD01030Z)

Terms in the title (5)： 硝酸 ,  ハフニウム ,  酸化ハフニウム ,  原子層 ,  沈着