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J-GLOBAL ID：200902112690861059   Reference number：95A0518304

Dimensional limitations of silicon nanolines resulting from pattern distortion due to surface tension of rinse water.

洗浄水の表面張力で生じるパターン変形によるシリコンのナノラインの寸法制約

Author (5)： NAMATSU H (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  KURIHARA K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  NAGASE M (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  IWADATE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN) ,  MURASE K (NTT LSI Lab., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 20  Page： 2655-2657  Publication year： May. 15, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： circuit pattern generation ,...

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JST classification (2)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V) ,  Applications of electron beams and ion beams  (BD02070X)

Terms in the title (4)： 洗浄水 ,  表面張力 ,  シリコン ,  制約