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J-GLOBAL ID：200902112699283422   Reference number：99A0674841

Suppression of temperature sensitivity of interband emission energy in 1.3-μm-region by an InGaAs overgrowth on self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots.

自己集合InGaAs/GaAs量子ドット上のInGaAs成長による1.3μm領域のバンド間発光エネルギーの温度敏感性の低減

Author (2)： MUKAI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGAWARA M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 74  Issue： 26  Page： 3963-3965  Publication year： Jun. 28, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (8)： 自己集合 ,  InGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長 ,  バンド ,  エネルギー ,  温度敏感性