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J-GLOBAL ID：200902113231765299   Reference number：96A0213578

Homoepitaxy of GaN on polished bulk single crystals by metalorganic chemical vapor deposition.

金属有機化学蒸着による研磨した単結晶上のガリウム窒化物のホモエピタクシー

Author (8)： PONCE F A (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BOUR D P (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  GOETZ W (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  JOHNSON N M (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  HELAVA H I (American Xtal Technol., California) ,  GRZEGORY I (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL) ,  JUN J (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL) ,  POROWSKI S (High Pressure Res. Center, Polish Acad. Sci., Warszawa, POL)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 68  Issue： 7  Page： 917-919  Publication year： Feb. 12, 1996 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： single crystal ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： 金属有機化学蒸着 ,  研磨 ,  単結晶 ,  ガリウム窒化物 ,  ホモエピタクシー