Art

J-GLOBAL ID：200902113349598923   Reference number：97A0380073

High-Voltage Double-Implanted Power MOSFET’s in 6H-SiC.

6H-SiC中の高電圧二重注入電力用MOSFET

Author (3)： SHENOY J N (Purdue Univ., IN, USA) ,  COOPER J A JR (Purdue Univ., IN, USA) ,  MELLOCH M R (Purdue Univ., IN, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 18  Issue： 3  Page： 93-95  Publication year： Mar. 1997 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： power transistor ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 6H-SiC ,  高電圧 ,  注入 ,  MOSFET