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J-GLOBAL ID：200902113756492030   Reference number：02A0687199

Film properties of ZnO:Al films deposited by co-sputtering of ZnO:Al and contaminated Zn targets with Co, Mn and Cr.

ZnO:AlターゲットとCo,Mn及びCrで汚染されたZnターゲットの同時スパッタリングにより堆積したZnO:Al膜の膜特性

Author (5)： TOMINAGA K (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  TAKAO T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  FUKUSHIMA A (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  MORIGA T (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN) ,  NAKABAYASHI I (Univ. Tokushima, Tokushima, JPN)
Material： Vacuum
Volume： 66  Issue： 3/4  Page： 511-515  Publication year： Aug. 19, 2002 
JST Material Number： E0347A  ISSN： 0042-207X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc oxide ,...

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JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Terms in the title (12)： ZnO ,  Al ,  ターゲット ,  CO ,  Mn ,  Cr ,  汚染 ,  Zn ,  同時スパッタリング ,  堆積 ,  Al膜 ,  膜特性