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J-GLOBAL ID：200902113822325085   Reference number：03A0017143

Deep-ultraviolet emission of AlGaN/AlN quantum wells on bulk AlN.

バルクAlN上AlGaN/AlN多重量子井戸の深紫外発光

Author (9)： GASKA R (Sensor Electronic Technol., Inc., South Carolina) ,  CHEN C (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  YANG J (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  KHAN A (Univ. South Carolina, South Carolina) ,  TAMULAITIS G (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  YILMAZ I (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  SHUR M S (Rensselaer Polytechnic Inst., New York) ,  ROJO J C (Crystal IS, Inc., New York) ,  SCHOWALTER L J (Crystal IS, Inc., New York)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 24  Page： 4658-4660  Publication year： Dec. 09, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *multiple quantum well ,...

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JST classification (1)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (5)： バルク ,  AlN ,  AlGaN ,  多重量子井戸 ,  深紫外