Art

J-GLOBAL ID：200902113903847388   Reference number：94A0167495

High quality aluminum nitride epitaxial layers grown on sapphire substrates.

サファイア基板に成長させた窒化アルミニウムの良質のエピタキシャル層

Author (5)： SAXLER A (Northwestern Univ., Illinois) ,  KUNG P (Northwestern Univ., Illinois) ,  SUN C J (Northwestern Univ., Illinois) ,  BIGAN E (Northwestern Univ., Illinois) ,  RAZEGHI M (Northwestern Univ., Illinois)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 64  Issue： 3  Page： 339-341  Publication year： Jan. 17, 1994 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： サファイア基板 ,  成長 ,  窒化アルミニウム ,  良質 ,  エピタキシャル層