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J-GLOBAL ID：200902114061045837   Reference number：97A0722328

Slightly negative surface potential and charging model of insulator in the negative-ion implantation.

負イオン注入における絶縁体のわずかに負の表面ポテンシャルとチャージング模型

Author (4)： TSUJI H (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  ISHIKAWA J (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  IKEDA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  GOTOH Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
Volume： 127/128  Page： 278-281  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： H0899A  ISSN： 0168-583X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： ion implantation ,...
Semi thesaurus term： チャージング模型

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JST classification (3)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E) ,  Interactions with ions  (BK16070Z) ,  Electronic structure of surfaces  (BM02080J)

Terms in the title (5)： イオン注入 ,  絶縁体 ,  表面ポテンシャル ,  チャージング ,  模型