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J-GLOBAL ID：200902114082080870   Reference number：95A0150273

Above room temperature near ultraviolet lasing from an optically pumped GaN film grown on sapphire.

サファイア上に成長させた光ポンプGaN膜からの室温以上での近紫外レーザ発振

Author (5)： YANG X H (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SCHMIDT T J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SHAN W (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  SONG J J (Oklahoma State Univ., Oklahoma) ,  GOLDENBERG B (Honeywell Technology Center, Minnesota)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 66  Issue： 1  Page： 1-3  Publication year： Jan. 02, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： semiconductor laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (6)： サファイア ,  成長 ,  GaN ,  室温 ,  近紫外 ,  レーザ発振