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J-GLOBAL ID：200902114700199840   Reference number：94A0869306

Spectroscopic Characterization of Low-Temperature Grown GaAs Epitaxial Films.

低温成長GaAsエピタキシャル膜の分光特性評価

Author (9)： TANI M (Kansai Advanced Research Center, Hyogo) ,  SAKAI K (Kansai Advanced Research Center, Hyogo) ,  ABE H (Osaka Univ., Osaka) ,  NAKASHIMA S (Osaka Univ., Osaka) ,  HARIMA H (Osaka Univ., Osaka) ,  HANGYO M (Osaka Univ., Osaka) ,  TOKUDA Y (MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo) ,  KANAMOTO K (MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo) ,  TSUKADA N (MITSUBISHI Electric Corp., Hyogo)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 33  Issue： 9A  Page： 4807-4811  Publication year： Sep. 1994 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 低温成長 ,  GaAs ,  エピタキシャル膜 ,  分光特性 ,  評価