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J-GLOBAL ID：200902115098935316   Reference number：98A0918079

AlGaN/GaN quantum well ultraviolet light emitting diodes.

AlGaN/GaN量子井戸紫外発光ダイオード

Author (9)： HAN J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  CRAWFORD M H (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  FIGIEL J J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  BANAS M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  ZHANG L (Sandia National Lab., New Mexico) ,  SONG Y K (Brown Univ., Rhode Island) ,  ZHOU H (Brown Univ., Rhode Island) ,  NURMIKKO A V (Brown Univ., Rhode Island)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 12  Page： 1688-1690  Publication year： Sep. 21, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： nitride ,...
Semi thesaurus term： 窒化ガリウムアルミニウム

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JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Light emitting devices  (NC03082G) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (4)： AlGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  紫外発光ダイオード