Art

J-GLOBAL ID：200902115121226476   Reference number：00A0912525

High-Density Nanoetchpit-Array Fabrication on Si Surface Using Ultrathin SiO₂ Mask.

極薄SiO₂マスクを利用したSi表面への高密度ナノエッチピットアレイの製作

Author (6)： KOH M (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SAWARA S (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  GOTO T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  ANDO Y (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHINADA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OHDOMARI I (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 9A  Page： 5352-5355  Publication year： Sep. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： hydrazine ,...
Semi thesaurus term： ナノエッチピット

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JST classification (1)： Techniques for samples  (BA02070O)

Reference (23)：

• 1) G. Timp et al.: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., Washington D.C., 1999, p. 55.
• 2) D. Hisamoto, W.-C. Lee, J. Kedzierski, E. Anderson, H. Takeuchi, K. Asano, T.-J. King, J. Bokor and C. Hu: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., San Francisco, 1998, p. 1032.
• 3) S. Y. Chou, P. R. Krauss and P. J. Renstrom: Science 272 (1996) 85.
• 4) S. Y. Chou, P. R. Krauss, W. Zhang, L. Guo and L. Zhuang: J. Vac. Sci. & Technol. B <B>15</B> (1997) 2897.
• 5) C. Y. Chang and S. M. Sze: ULSI Technology (McGraw-Hill, New York, 1996).

Terms in the title (5)： SiO2 ,  マスク ,  Si ,  高密度 ,  製作