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J-GLOBAL ID：200902115796577880   Reference number：02A0577944

Optical constants of InN thin films on (111) GaAs grown by reactive magnetron sputtering.

反応性マグネトロンスパッタリングにより成長させた(111)GaAs上のInN薄膜の光学定数

Author (6)： YANG H F (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  SHEN W Z (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  QIAN Z G (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  PANG Q J (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  OGAWA H (Saga Univ., Saga, JPN) ,  GUO Q X (Saga Univ., Saga, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 91  Issue： 12  Page： 9803-9808  Publication year： Jun. 15, 2002 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium nitride ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (2)： Optical properties of condensed matter in general  (BM08010A) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 反応性マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  GaAs ,  InN ,  薄膜 ,  光学定数