Art

J-GLOBAL ID：200902116364037058   Reference number：00A0547257

Structure and optical properties of Si/InAs/Si layers grown by molecular beam epitaxy on Si substrate.

Si基板上にMBE成長させたSi/InAs/Si層の構造及び光学的性質

Author (9)： ZAKHAROV N D (Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU) ,  WERNER P (Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU) ,  GOESELE U (Max-Planck Inst. Microstructure Physics, Halle/Saale, DEU) ,  HEITZ R (Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  BIMBERG D (Technical Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  LEDENTSOV N N (A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS) ,  USTINOV V M (A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS) ,  VOLOVIK B V (A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS) ,  CIRLIN G E (A.F. Ioffe Phisico-Technical Inst., RAS, St. Petersburg, RUS)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 76  Issue： 19  Page： 2677-2679  Publication year： May. 08, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *heterojunction ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (6)： Si基板 ,  MBE成長 ,  Si ,  InAs ,  Si層 ,  光学的性質