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J-GLOBAL ID：200902116879559685   Reference number：95A0569946

Heteroepitaxial growth of GaAs/Si by combining MBE and MOCVD.

MBEとMOCVDの組み合わせによるGaAs/Si成長

Author (4)： SHIBA YASUNARI (住友金属工業 未来技研) ,  ASAI KOSUKE (住友金属工業 未来技研) ,  KAMEI KAZUTO (住友金属工業 未来技研) ,  KATAHAMA HISASHI (住友金属工業 未来技研)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 42nd  Issue： Pt 1  Page： 225  Publication year： Mar. 1995 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： MBE ,  MOCVD ,  組み合わせ ,  GaAs ,  Si ,  成長