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J-GLOBAL ID：200902117460918657   Reference number：96A0967406

InGaN growth on Al2O3 substrates using InN buffer layer.

InN低温バッファ層を用いたサファイア基板上InGaN成長

Author (8)： NISHIYAMA TAKAYUKI (静岡大 工) ,  ITO TAKAHIRO (静岡大 工) ,  YANAGIHARA MASATAKA (サンケン電気) ,  OTSUKA KOJI (サンケン電気) ,  KUWAHARA KENKO (静岡大 工) ,  IMAI TETSUJI (明星大) ,  TAKANO YASUSHI (静岡大 工) ,  FUKE SHUNRO (静岡大 工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 57th  Issue： 1  Page： 209  Publication year： Sep. 1996 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (6)： InN ,  低温 ,  バッファ層 ,  サファイア基板 ,  InGaN ,  成長