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J-GLOBAL ID：200902117659578146   Reference number：98A0310198

DC and Microwave Performance of High-Current AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors Grown on p-Type SiC Substrates.

p型SiC基板上に成長させた大電流AlGaN/GaNヘテロ構造電界効果トランジスタのDCおよびマイクロ波性能

Author (5)： PING A T (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA) ,  CHEN Q (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  YANG J W (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  ASIF KHAN M (APA Optics, Inc., MN, USA) ,  ADESIDA I (Univ. Illinois at Urbana-Champaign, IL, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 19  Issue： 2  Page： 54-56  Publication year： Feb. 1998 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： SiC基板 ,  成長 ,  大電流 ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  電界効果トランジスタ ,  DC ,  マイクロ波