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J-GLOBAL ID：200902118022601957   Reference number：99A0390433

Detailed Investigation of N-Channel Enhancement 6H-SiC MOSFET’s.

Nチャネル・エンハンスメント6H-SiC MOSFETの詳細な検討

Author (3)： SCHOERNER R (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICHS P (Siemens AG, Erlangen, DEU) ,  PETERS D (Siemens AG, Erlangen, DEU)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 46  Issue： 3  Page： 533-541  Publication year： Mar. 1999 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...
Semi thesaurus term： trap(solid)

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： Nチャネル ,  6H-SiC ,  MOSFET