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J-GLOBAL ID：200902118120158328   Reference number：01A0162828

Diffusion of boron in silicon carbide: Evidence for the kick-out mechanism.

炭化けい素中のほう素の拡散 キックアウト機構の証拠

Author (4)： BRACHT H (Univ. Muenster, Muenster, DEU) ,  STOLWIJK N A (Univ. Muenster, Muenster, DEU) ,  LAUBE M (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU) ,  PENSL G (Univ. Erlangen-Nuernberg, Erlangen, DEU)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 20  Page： 3188-3190  Publication year： Nov. 13, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *impurity diffusion ,...

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JST classification (2)： Diffusion in solids in general  (BL06021L) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： 炭化けい素 ,  ほう素 ,  拡散 ,  証拠