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J-GLOBAL ID：200902118660873174   Reference number：97A0757105

Sublimation Growth and Characterization of Bulk GaN.

昇華法によるバルクGaNの結晶成長および物性評価

Author (6)： NISHINO KATSUSHI (徳島大 工) ,  KURAI SATOSHI (徳島大 工) ,  TOTTORI SATORU (徳島大 工) ,  NOZAKI MASAAKI (徳島大 工) ,  NAOI YOSHIKI (徳島大 工) ,  SAKAI SHIRO (徳島大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 97  Issue： 100(LQE97 18-28)  Page： 31-35  Publication year： Jun. 17, 1997 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： sublimation ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Reference (10)：

• AMANO, H. Appl. Phys. Lett. 1986, 48, 353
• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1991, 30, L1705
• NAKAMURA, S. Appl. Phys. Lett. 1994, 64, 1687
• ZUBRILOV, A. S. Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 533
• KURAMATA, A. Top. Workshop on III-V Nitrides Abstracts (Nagoya, Japan, 1995). 1995

Terms in the title (5)： 昇華 ,  バルク ,  GaN ,  結晶成長 ,  物性評価