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J-GLOBAL ID：200902118871758045   Reference number：98A0969429

Flow and temperature field in molten silicon during Czochralski crystal growth in a cusp magnetic field.

カスプ磁場中でのCzochralski結晶成長中,融解シリコンの流れと温度場

Author (3)： WATANABE M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  EGUCHI M (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  HIBIYA T (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 193  Issue： 3  Page： 402-412  Publication year： Oct. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X)

Terms in the title (6)： カスプ磁場 ,  結晶成長 ,  融解 ,  シリコン ,  流れ ,  温度場