Art

J-GLOBAL ID：200902119282952784   Reference number：00A0902527

High Breakdown GaN HEMT with Overlapping Gate Structure.

オーバラップゲート構造をした高降伏なGaNのHEMT

Author (6)： ZHANG N-Q (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER S (Univ. California, CA, USA) ,  PARISH G (Univ. California, CA, USA) ,  HEIKMAN S (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS S P (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA K (Univ. California, CA, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 21  Issue： 9  Page： 421-423  Publication year： Sep. 2000 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...
Semi thesaurus term： 電気的降伏

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： オーバラップ ,  ゲート ,  降伏 ,  GaN ,  HEMT