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J-GLOBAL ID：200902119332854070   Reference number：94A0154173

RIE of 6H-SiC Substrate Surface for Epitaxial Growth.

RIEによるエピ成長用6H-SiC基板の前処理

Author (6)： MURATA TOSHIO (豊田中研) ,  FUMA HIROO (豊田中研) ,  MIURA ATSUSHI (豊田中研) ,  KANO HIROYUKI (豊田中研) ,  TAGA YASUNORI (豊田中研) ,  HASHIMOTO MASAFUMI (豊田中研)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 54th  Issue： 1  Page： 239  Publication year： Sep. 1993 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (3)： RIE ,  成長 ,  6H-SiC