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J-GLOBAL ID：200902119930963070   Reference number：95A0602678

Silicon Carbide Semiconductor.

SiC半導体

Author (7)： FUMA HIROO (豊田中研) ,  MURATA TOSHIO (豊田中研) ,  MIURA ATSUSHI (豊田中研) ,  SUGIYAMA NAOHIRO (豊田中研) ,  OKAMOTO ATSUTO (豊田中研) ,  TANI TOSHIHIKO (豊田中研) ,  KANO HIROYUKI (豊田中研)
Material： 豊田中央研究所R&Dレビュー  (R&D Review of Toyota CRDL)
Volume： 30  Issue： 2  Page： 57-67  Publication year： Jun. 1995 
JST Material Number： G0820B  ISSN： 0385-1508  Document type： Article
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (1)： SiC