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J-GLOBAL ID：200902120241070309   Reference number：95A0247380

Short-Channel-Effect-Suppressed Sub-0.1-μm Grooved-Gate MOSFET’s with W Gate.

タングステンゲートを有する短チャネル効果を抑制したサブ0.1μm溝つきゲートMOSFET

Author (5)： KIMURA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TANAKA J (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  NODA H (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TOYABE T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  IHARA S (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 42  Issue： 1  Page： 94-100  Publication year： Jan. 1995 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： タングステン ,  ゲート ,  短チャネル効果 ,  サブ ,  溝つき ,  MOSFET