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J-GLOBAL ID：200902120715508092   Reference number：02A0865090

Rare-Earth-Doped GaN: Growth, Properties, and Fabrication of Electroluminescent Devices.

希土類ドープGaN 成長,特性,およびエレクトロルミネセンスデバイスの作製

Author (7)： STECKL A J (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  HEIKENFELD J C (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  LEE D-S (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  GARTER M J (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  BAKER C C (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  WANG Y (Univ. Cincinnati, OH, USA) ,  JONES R (Univ. Cincinnati, OH, USA)
Material： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE J Sel Top Quantum Electron)
Volume： 8  Issue： 4  Page： 749-766  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...
Semi thesaurus term： flat-panel display

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JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 希土類 ,  ドープ ,  GaN ,  成長 ,  エレクトロルミネセンスデバイス ,  作製