Art

J-GLOBAL ID：200902120750815984   Reference number：99A0512492

Properties of Niobium Nitride Thin Films As a Candidate for Cathode Material of Vacuum Microelectronics Devices.

真空マイクロエレクトロニクス素子の陰極材料としての窒化ニオブ薄膜の作製と評価

Author (5)： GOTO YASUHITO (京大 大学院) ,  URA TOSHIYUKI (京大 大学院) ,  NAGAO MASAYOSHI (京大 大学院) ,  TSUJI HIROSHI (京大 大学院) ,  ISHIKAWA JUNZO (京大 大学院)
Material： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
Volume： 42  Issue： 3  Page： 305-308  Publication year： Mar. 20, 1999 
JST Material Number： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *niobium compound ,...
Semi thesaurus term： negative electrode ,...

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JST classification (3)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Electron emission in general  (BM09010H) ,  Other solid-state devices  (NC03150A)

Reference (8)：

• TOTH, L. E. Transition Metal Carbides and Nitrides. 1971, 102
• 後藤康仁. 真空. 1997, 40, 279
• NAGAO, M. J. Vac. Sci. & Technol. 1998, B16, 829
• ENDO, M. J. Vac. Sci. & Technol. 1996, B14, 2114
• WEAST, R. C. Handbook of Chemistry and Physics. 1967

Terms in the title (6)： 真空マイクロエレクトロニクス ,  陰極材料 ,  窒化ニオブ ,  薄膜 ,  作製 ,  評価