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J-GLOBAL ID：200902120815234305   Reference number：98A0596562

High Efficiency and High Linearity InGaP/GaAs HBT Power Amplifiers: Matching Techniques of Source and Load Impedance to Improve Phase Distortion and Linearity.

高効率・高線形性InGaP/GaAs-HBT電力増幅器 位相歪と線形性を改善するソースおよび負荷のインピーダンスの整合法

Author (6)： IWAI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHARA S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YAMADA H (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YAMAGUCHI Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  IMANISHI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  JOSHIN K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 45  Issue： 6  Page： 1196-1200  Publication year： Jun. 1998 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *power amplifier ,...

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JST classification (1)： Amplification circuits  (NC05040U)

Terms in the title (10)： 高効率 ,  線形性 ,  InGaP ,  GaAs ,  HBT ,  電力増幅器 ,  位相歪 ,  ソース ,  インピーダンス ,  整合