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J-GLOBAL ID：200902120912984807   Reference number：01A0862316

Improvement of Threshold Voltage Deviation in Damascene Metal Gate Transistors.

ダマシンメタルゲートトランジスタのしきい値電圧のずれの改善

Author (8)： YAGISHITA A (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SAITO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  NAKAJIMA K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  INUMIYA S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MATSUO K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TSUNASHIMA Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SUGURO K (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ARIKADO T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 48  Issue： 8  Page： 1604-1611  Publication year： Aug. 2001 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *threshold ,...
Semi thesaurus term： ダマシンプロセス

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (1)： しきい値電圧