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J-GLOBAL ID：200902121166728430   Reference number：96A0099565

Spin-Valve RAM Cell.

スピンバルブRAM素子

Author (5)： TANG D D (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  WANG P K (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  SPERIOSU V S (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  LE S (IBM Almaden Res. Center, CA) ,  KUNG K K (IBM Almaden Res. Center, CA)
Material： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Trans Magn)
Volume： 31  Issue： 6 Pt 1  Page： 3206-3208  Publication year： Nov. 1995 
JST Material Number： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： spin ,...

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JST classification (1)： Magnetoelectric devices  (NC03100X)

Terms in the title (2)： スピンバルブ ,  RAM