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J-GLOBAL ID：200902121180685654   Reference number：00A0765366

Process Dependence of Inversion Layer Mobility in 4H-SiC Devices.

Author (3)： ALOK D (Philips Electronics North America Corp., NY, USA) ,  ARNOLD E (Philips Electronics North America Corp., NY, USA) ,  EGLOFF R (Philips Electronics North America Corp., NY, USA)
Material： Materials Science Forum  (Mater Sci Forum)
Volume： 338/342  Issue： Pt.2  Page： 1077-1080  Publication year： 2000 
JST Material Number： D0716B  ISSN： 0255-5476  Document type： Article
Country of issue： Switzerland (CHE)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (1)： 4H-SiC