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J-GLOBAL ID：200902121447945804   Reference number：94A0385035

The effect of crystalline anisotropy on pattern formation in laser-melted thin silicon films.

レーザ融解薄膜シリコンのパターン形成に対する結晶異方性の影響

Author (3)： BRUSH L N (Univ. Washington, Washington, USA) ,  MCFADDEN G B (National Inst. Standards and Technology, Maryland, USA) ,  CORIELL S R (National Inst. Standards and Technology, Maryland, USA)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 137  Issue： 3/4  Page： 355-374  Publication year： Apr. 1994 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： レーザ融解 ,  薄膜 ,  シリコン ,  パターン形成 ,  結晶 ,  異方性