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J-GLOBAL ID：200902121989900947   Reference number：02A0326301

Spin-Filter Device Based on the Rashba Effect Using a Nonmagnetic Resonant Tunneling Diode.

非磁性共鳴トンネルダイオードを使ったRashba効果に基づくスピンフィルタ素子

Author (3)： KOGA T (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  NITTA J (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKAYANAGI H (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 88  Issue： 12  Page： 126601.1-126601.4  Publication year： Mar. 25, 2002 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： indium gallium arsenide ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (5)： 非磁性 ,  共鳴トンネルダイオード ,  Rashba効果 ,  スピン ,  フィルタ素子