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J-GLOBAL ID：200902122493983660   Reference number：02A0440623

MOVPE選択成長法による(001)Si 7°off基板上へのAlGaN/GaNヘテロ構造の作製

Author (4)： KAMESHIRO NORIFUMI (名古屋大 工) ,  HONDA YOSHIHISA (名古屋大 工) ,  YAMAGUCHI MASAFUMI (名古屋大 工) ,  SAWAKI NOBUHIKO (名古屋大 工)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 49th  Issue： 1  Page： 401  Publication year： Mar. 27, 2002 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE ,...

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JST classification (3)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (7)： MOVPE ,  選択成長 ,  Si ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  作製