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J-GLOBAL ID：200902122892547025   Reference number：00A0368653

GaN/AlGaN high electron mobility transistors with f_τ of 110GHz.

110GHzのf_τのGaN/AlGaN高電子移動度トランジスタ

Author (7)： MICOVIC M (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  NGUYEN N X (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  JANKE P (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  WONG W-S (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  HASHIMOTO P (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  MCCRAY L-M (HRL Lab., LLC, CA, USA) ,  NGUYEN C (HRL Lab., LLC, CA, USA)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 36  Issue： 4  Page： 358-359  Publication year： Feb. 17, 2000 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *HEMT ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (3)： GaN ,  AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ