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J-GLOBAL ID：200902122951358410   Reference number：98A0023735

Absorption coefficient, energy gap, exciton binding energy, and recombination lifetime of GaN obtained from transmission measurements.

透過測定から得たGaNの吸収係数,エネルギーギャップ,励起子の束縛エネルギーおよび再結合寿命

Author (8)： MUTH J F (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  LEE J H (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  SHMAGIN I K (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  KOLBAS R M (North Carolina State Univ., North Carolina) ,  CASEY H C JR (Duke Univ., North Carolina) ,  KELLER B P (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 18  Page： 2572-2574  Publication year： Nov. 03, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Excitons  (BM02120E)

Terms in the title (8)： 透過 ,  GaN ,  吸収係数 ,  エネルギーギャップ ,  励起子 ,  束縛エネルギー ,  再結合 ,  寿命