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J-GLOBAL ID：200902123175224382   Reference number：00A0479766

New LV-BPD(Low Voltage Buried Photo-Diode) for CMOS Imager.

CMOS撮像素子用の新LV-BPD(低電圧埋め込みフォトダイオード)

Author (9)： INOUE I (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  NOZAKI H (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  YAMASHITA H (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  YAMAGUCHI T (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN) ,  ISHIWATA H (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN) ,  IHARA H (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN) ,  MIYAGAWA R (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Kawasaki, JPN) ,  NAKAMURA N (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN) ,  MATSUNAGA Y (Toshiba Corp. Semiconductor Co., Yokohama, JPN)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1999  Page： 883-886  Publication year： 1999 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *CMOS structure ,...
Semi thesaurus term： 高画質画像 ,...

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JST classification (2)： Photodetectors  (NC03083X) ,  Image pickup and picture recording equipment  (ND12032E)

Terms in the title (7)： CMOS ,  撮像素子 ,  Lv ,  BPD ,  低電圧 ,  埋め込み ,  フォトダイオード