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J-GLOBAL ID：200902123778874284   Reference number：02A0957984

Hot-carrier-induced degradation of threshold voltage and transconductance in n-channel LDD and SD poly-Si TFTs.

nチャネルLDDおよびSDポリSi TFTにおけるしきい値電圧と相互コンダクタンスのホットキャリア誘起劣化

Author (3)： TANGO H (Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN) ,  SATOH T (Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN) ,  IMAI Y (Tokyo Inst. Polytechnics, Kanagawa, JPN)
Material： Electronics Letters  (Electron Lett)
Volume： 38  Issue： 20  Page： 1227-1228  Publication year： Sep. 26, 2002 
JST Material Number： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *thin film transistor ,...
Semi thesaurus term： interface state

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (7)： Nチャネル ,  ポリSi ,  TFT ,  しきい値電圧 ,  相互コンダクタンス ,  ホットキャリア ,  誘起