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J-GLOBAL ID：200902124030374137   Reference number：00A0638364

Structure of an InAs(111)A-(2×2)S surface studied by scanning tunneling microscopy, photoelectron spectroscopy, and x-ray photoelectron diffraction.

走査型トンネル顕微鏡,光電子分光法及び光電子回折によるInAs(111)A-(2×2)S表面構造の研究

Author (8)： ICHIKAWA S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SANADA N (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  MOCHIZUKI S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  ESAKI Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKUDA Y (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SHIMOMURA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ABUKAWA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KONO S (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
Material： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter)
Volume： 61  Issue： 19  Page： 12982-12987  Publication year： May. 15, 2000 
JST Material Number： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium arsenide ,...

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JST classification (1)： Surface structure of semiconductors  (BK15030A)

Terms in the title (6)： 走査型トンネル顕微鏡 ,  光電子分光法 ,  光電子回折 ,  InAs ,  表面構造 ,  研究