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J-GLOBAL ID：200902124192803210   Reference number：99A0892721

Growth of InGaN/GaN multiple-quantum-well blue light-emitting diodes on silicon by metalorganic vapor phase epitaxy.

金属有機気相エピタキシーによるシリコン上の多重量子井戸青色発光ダイオードInGaN/GaNの成長

Author (4)： TRAN C A (Emcore Corp., New Jersey) ,  OSINSKI A (Emcore Corp., New Jersey) ,  KARLICEK R F JR (Emcore Corp., New Jersey) ,  BERISHEV I (Univ. Houston, Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 75  Issue： 11  Page： 1494-1496  Publication year： Sep. 13, 1999 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Terms in the title (7)： 金属有機気相エピタキシー ,  シリコン ,  多重量子井戸 ,  青色発光ダイオード ,  InGaN ,  GaN ,  成長