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J-GLOBAL ID：200902124431540536   Reference number：02A0686965

Leakage current distribution in ultrathin oxide on silicon surface with step/terrace structures.

ステップ/テラス構造をもつシリコン上の超薄酸化物中の漏れ電流分布

Author (4)： MURATA M (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  TOKUDA N (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HOJO D (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  YAMABE K (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 414  Issue： 1  Page： 56-62  Publication year： Jul. 01, 2002 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *surface steps ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X)

Terms in the title (4)： シリコン ,  酸化物 ,  漏れ電流 ,  分布