Art

J-GLOBAL ID：200902124532759938   Reference number：98A0414310

New approach to the fabrication of CdSe/ZnSe quantum dots using a cleaved-edge overgrowth technique.

へき開端被覆成長法によりCdSe/ZnSe量子ドットを作製する新しい方法

Author (4)： KO H-C (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KAWAKAMI Y (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  FUJITA S (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 184/185  Page： 283-287  Publication year： Feb. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *zinc selenide ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0414310&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： へき開 ,  被覆成長 ,  CdSe ,  ZnSe ,  量子ドット ,  作製