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J-GLOBAL ID：200902124554457846   Reference number：94A0062591

The influence of the strain-induced electric field on the charge distribution in GaN-AlN-GaN structure.

GaN-AlN-GaN構造における電荷分布に及ぼす歪誘起電場の影響

Author (3)： BYKHOVSKI A (Univ. Virginia, Virginia) ,  GELMONT B (Univ. Virginia, Virginia) ,  SHUR M (Univ. Virginia, Virginia)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 74  Issue： 11  Page： 6734-6739  Publication year： Dec. 01, 1993 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y)

Terms in the title (6)： GaN ,  AlN ,  電荷分布 ,  歪 ,  誘起 ,  電場