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J-GLOBAL ID：200902124958653320   Reference number：96A0228130

High-Density Layer at the SiO₂/Si Interface Observed by Difference X-Ray Reflectivity.

差分X線反射率で観測したSiO₂/Si界面での高密度層

Author (6)： AWAJI N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  OHKUBO S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  NAKANISHI T (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGITA Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TAKASAKI K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  KOMIYA S (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 35  Issue： 1B  Page： L67-L70  Publication year： Jan. 15, 1996 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon dioxide ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (14)：

• AWAJI, N. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, 34, L1013
• SUGITA, Y. Ext. Abstr. Int. Conf.1995 Solid State Devices & Materials Jpn. 1995, 836
• OHKUBO, S. Proc.1995 Symp. VLSI Tech. Dig. of Tech. Papers Jpn. 1995, 111
• NAKANISHI, T. 1994 Symp. VLSI Tech. Dig. of Tech. Papers. 1994, 45
• VIDAL, B. Appl. Opt. 1984, 23, 1794

Terms in the title (7)： 差分 ,  X線反射率 ,  観測 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  高密度