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J-GLOBAL ID：200902125033370074   Reference number：00A0185619

Excimer laser-induced temperature field in melting and resolidification of silicon thin films.

シリコン薄膜の融解と再固化におけるエキシマレーザ誘起の温度場

Author (5)： HATANO M (Univ. California, California) ,  MOON S (Univ. California, California) ,  LEE M (Univ. California, California) ,  SUZUKI K (Hitachi Ltd., Mobara, JPN) ,  GRIGOROPOULOS C P (Univ. California, California)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 87  Issue： 1  Page： 36-43  Publication year： Jan. 01, 2000 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Laser irradiation effects and damages  (BK16040S)

Terms in the title (6)： シリコン薄膜 ,  融解 ,  固化 ,  エキシマレーザ ,  誘起 ,  温度場